兆易創(chuàng)新公告稱，2026 年第一季度實現營業(yè)收入 41.88 億元，同比增長 119.38%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為 14.61 億元，同比增長 522.79%。業(yè)績變動主要系報告期內，公司存儲芯片產品面臨供不應求局面，實現量價齊升；微控制器產品得益于工業(yè)、消費電子及汽車等多領域需求的帶動，出貨量大幅增長。相關 ETF 方面，4 月 30 日午盤，科創(chuàng)芯片 ETF（588290）盤中一度漲超 7%，成分股寒武紀、芯原股份 20cm 漲停，杰華特、聯蕓科技、芯源微、思瑞浦、翱捷科技、聚辰股份皆越過 10% 漲幅門檻。

存儲芯片行業(yè)正經歷供需格局的重大轉變，受 AI 算力需求爆發(fā)影響，全球存儲芯片產能供應持續(xù)吃緊，價格大幅上漲，這一緊缺狀況預計將持續(xù)到 2026 年以后。美光科技高管表示，存儲芯片短缺在過去一個季度明顯加速，未來 3 年全球 HBM ( 高帶寬內存 ) 的復合年增長率將超過 40%，顯示出存儲芯片產業(yè)鏈的持續(xù)火熱。大型 AI 數據中心建設需求激增，導致科技公司大量囤積存儲芯片，擠壓了消費市場，使整個行業(yè)處于短缺狀態(tài)。面對這一趨勢，多家國產存儲芯片企業(yè)相繼公布擴大產能項目，計劃加大研發(fā)投入。HBM 及封測端設備、材料股熱度高漲，通富微電、金海通等企業(yè)續(xù)創(chuàng)歷史新高，帶動相關產業(yè)鏈企業(yè)漲停。隨著下游需求回暖和行業(yè)庫存逐步出清，存儲芯片行業(yè)正迎來新一輪景氣周期，行業(yè)整體成本上升對終端廠商利潤形成擠壓，如戴爾已率先打響 PC 漲價第一槍。相關板塊布局工具可持續(xù)關注科創(chuàng)芯片 ETF（588290）、科創(chuàng)信息 ETF（588260）等。

熱點解讀

AI 算力需求爆發(fā)拉動存儲芯片漲價

隨著 AI 算力需求爆發(fā)，全球存儲芯片產能持續(xù)吃緊，價格大幅上漲。三星與 SK 海力士計劃在 2026 年第一季度將服務器 DRAM 價格較 2025 年第四季度提升 60% 至 70%，個人電腦與智能手機 DRAM 客戶也將面臨相近幅度的漲價。NV 全新存儲架構通過增加 GPU 內存至 17TB，顯著拉動存儲需求，行業(yè)緊缺狀況預計將持續(xù)到 2026 年以后。

AI 終端升級創(chuàng)造存儲新需求

政策支持與廠商戰(zhàn)略共同推動 AI 終端升級。中國八部門印發(fā)《人工智能 + 制造專項行動實施意見》，加速智能終端升級；三星計劃將支持谷歌 Gemini AI 功能的移動設備數量從 2024 年的 4 億臺提升至 2026 年的 8 億臺。終端 AI 化趨勢將持續(xù)拉動存儲芯片需求，為行業(yè)創(chuàng)造新的增長點。

存儲芯片行業(yè)迎來新一輪景氣周期

下游需求回暖和行業(yè)庫存逐步出清，存儲芯片行業(yè)進入新一輪景氣周期。希捷科技 2026 年第三財季營收達 31.1 億美元，超出市場預期；公司上調第四財季營收展望至 34.5 億美元。受此影響，西部數據、閃迪、美光科技等存儲相關企業(yè)股價上漲，行業(yè)整體呈現復蘇態(tài)勢。

上游供應鏈國產替代加速推進

海外壓力下，國內存儲芯片企業(yè)加大產能擴張與研發(fā)投入。多家國產存儲芯片企業(yè)相繼公布擴大產能項目，HBM 及封測端設備、材料股熱度高漲。商務部對日本進口二氯二氫硅進行反傾銷立案調查，顯示上游材料國產化力度加大。在存儲芯片漲價背景下，上游供應鏈國產替代進程有望加速。